| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數據手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002K
|
NCE | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶體管, MOSFET, N溝道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
|
|||
BSS123
|
Siemens Semiconductor (西門子) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
|
|
Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
|
|
Blue Rocket Electronics (藍箭) | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
||
BSS123
|
Philips (飛利浦) | 類似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
|||
BS170
|
GE (通用電氣) | 類似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。 這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。 ### MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
|
|||
BSS123
|
Zetex | 類似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價
最新評價
暫時還沒有評價
期待你分享科技帶來的樂趣