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Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管，可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。 OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計符合并超過計算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增強(qiáng)模式 AEC 合格 MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作溫度 綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)） ### MOSFET 晶體管，Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進(jìn)功率 MOSFET 中的頂級性能
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 2.2 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 80A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 6290pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 107 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-262-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 9.25 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.4 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-262-3 | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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