技術(shù)參數(shù)/極性： | N+P | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 7.3A/5.3A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 650pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 2.5 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Obsolete | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | Non-Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Contains Lead | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7389PBF
|
International Rectifier (國(guó)際整流器) | 類似代替 | SOIC-8 |
N/P 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備，以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng)，設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N/P 通道配置。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品，從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
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