技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 50.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 40.0 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列： | IRFP260N | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 50.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 60 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 4057pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 48 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 300W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Bulk | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Push-Pull, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | Non-Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Contains Lead | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW75NF20
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW75NF20 晶體管, MOSFET, N溝道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
|
||
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IFA | 功能相似 |
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品，從電動機控制到照明和家用電器。
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