技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 800 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 26 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 4.10 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 6 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 16.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Samsung (三星) | 功能相似 | TO-220 |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN
|
||
IRLS620A
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
4.1A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN
|
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