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型號(hào): IRLW630ATM
描述: Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
商品二維碼
封 裝: TO-262-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
18.6  元 18.6元
5+:
¥ 21.7620
50+:
¥ 20.8320
200+:
¥ 20.3112
500+:
¥ 20.1810
1000+:
¥ 20.0508
2500+:
¥ 19.9020
5000+:
¥ 19.8090
7500+:
¥ 19.7160
數(shù)量
5+
50+
200+
500+
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價(jià)格
21.7620
20.8320
20.3112
20.1810
20.0508
價(jià)格 21.7620 20.8320 20.3112 20.1810 20.0508
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

9.00 A

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

400 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

3.1W (Ta), 69W (Tc)

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

5.00 A

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

755pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

3.1 W

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

3.1W (Ta), 69W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-262-3

?

外形尺寸/封裝:

TO-262-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Unknown

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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