技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.5 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 43 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -6.70 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 63 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 270pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 43 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 31 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 43 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.51 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.65 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 15.49 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/最小包裝： | 50 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9Z10PBF
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
|
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