技術(shù)參數(shù)/輸出電流： | 30mA @15V | ? |
技術(shù)參數(shù)/供電電流： | 1 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/電路數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比： | 65 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補償漂移： | 7.00 μV/K | ? |
技術(shù)參數(shù)/帶寬： | 700 kHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/轉(zhuǎn)換速率： | 300 mV/μs | ? |
技術(shù)參數(shù)/增益頻寬積： | 700 kHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補償電壓： | 3 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入偏置電流： | 20 nA | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 70 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | 0 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/增益帶寬： | 0.7 MHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比(Min)： | 65 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 3V ~ 32V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max)： | 32 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min)： | 3 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | 0℃ ~ 70℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 消費電子產(chǎn)品, 信號處理, 電機驅(qū)動與控制, 傳感與儀器, 計量 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM358DR
|
Chipswinner | 完全替代 | SOP-8L/-40~85 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358DR 運算放大器, 雙路, 700 kHz, 2個放大器, 0.4 V/μs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引腳
|
||
LM358DR
|
ROHM Semiconductor (羅姆半導(dǎo)體) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358DR 運算放大器, 雙路, 700 kHz, 2個放大器, 0.4 V/μs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引腳
|
||
LM358D
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 運算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
|
||
LM258D
|
National Semiconductor (美國國家半導(dǎo)體) | 類似代替 | 8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM258D 運算放大器, 雙路, 700 kHz, 2個放大器, 0.3 V/μs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引腳
|
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