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描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù),可降低熱電阻和能源損耗。 這些設(shè)備提供快速切換時間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和專有封裝。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓 短路容量,確保 10usec 正向通態(tài)電壓溫度系數(shù) 可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管 國際標(biāo)準(zhǔn)和專有高電壓封裝 ### IGBT 分立元件和模塊,IXYS 絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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封 裝: ISOPLUS-9
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
117.79  元 117.79元
1+:
¥ 135.4585
10+:
¥ 131.9248
50+:
¥ 129.2156
100+:
¥ 128.2733
200+:
¥ 127.5666
500+:
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數(shù)量
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價格
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技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

150 W

?

技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極):

1200 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

150 W

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

150 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

9

?

封裝參數(shù)/封裝:

ISOPLUS-9

?

外形尺寸/長度:

25 mm

?

外形尺寸/寬度:

23 mm

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外形尺寸/高度:

5.5 mm

?

外形尺寸/封裝:

ISOPLUS-9

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

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