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型號: IDH09G65C5
描述: 650V的SiC的thinQ !一?? ¢ 5代二極管 650V SiC thinQ!a?¢ Generation 5 diodes
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封 裝: TO-220-2
貨 期:
包裝方式: Tube
標準包裝數(shù): 1
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50+:
¥ 14.9184
200+:
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500+:
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1000+:
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技術參數(shù)/正向電壓:

1.7V @9A

?

技術參數(shù)/耗散功率:

82 W

?

技術參數(shù)/反向恢復時間:

0 ns

?

技術參數(shù)/正向電流:

9000 mA

?

技術參數(shù)/正向電壓(Max):

1.7V @9A

?

技術參數(shù)/正向電流(Max):

9 A

?

技術參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術參數(shù)/耗散功率(Max):

82000 mW

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

2

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-220-2

?

外形尺寸/封裝:

TO-220-2

?

其他/產品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

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