內(nèi)存芯片商突破DRAM技術(shù)挑戰(zhàn) 三大主力軍搶進(jìn)1z nm制成
在當(dāng)前內(nèi)存市場需求疲軟的環(huán)境下,三星、美光和SK海力士相繼發(fā)布1z nm內(nèi)存芯片,搶進(jìn)高端內(nèi)存市場。并方案下半年開端量產(chǎn),并于2020年在新一代效勞器、高端PC及智能手機(jī)等應(yīng)用發(fā)力。 三星1znm 8Gb DDR4消費(fèi)率進(jìn)步20%以上,下半年量產(chǎn) 據(jù)