9 月 26 日消息，
SK 海力士今日宣布，公司全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，成功實現了現有 HBM 產品中最多的 36GB 容量。據悉，公司將在年內向客戶提供此次的全新產品。
此消息一經傳出，SK 海力士股價在韓國市場漲超 8%，市值超過 120.34 萬億韓元（約 6351.55 億元人民幣）。
SK 海力士在技術上實現了重大突破。公司堆疊 12 顆 3GB
DRAM 芯片，在保持與現有的 8 層產品相同厚度的同時，將容量提升了 50%。為達成這一目標，公司將單個 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技術（TSV）進行垂直堆疊。此外，SK 海力士還成功解決了在將變薄的芯片堆疊更多時產生的結構性問題。公司將其核心技術先進 MR-MUF 工藝應用到此次產品中，使得散熱性能較上一代提升了 10%，并增強了對翹曲問題的控制，從而確保了產品的穩(wěn)定性和可靠性。
自 2013 年全球首次推出第一代 HBM 至第五代 HBM（HBM3E），SK 海力士是唯1一家開發(fā)并向市場供應全系列 HBM 產品的企業(yè)。此次業(yè)界率先成功量產 12 層堆疊產品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，同時也進一步鞏固了 SK 海力士在面向
AI 的存儲器市場頭部的地位。
SK 海力士表示，12 層 HBM3E 在面向 AI 的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達到全球最高水平。12 層 HBM3E 的運行速度可達 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的
GPU 上運行 “Llama 3 70B” 大語言模型時，每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數。
億配芯城（ICgoodFind）認為，SK 海力士全球率先量產 12 層 HBM3E 芯片，展現了其在存儲技術領域的強大實力和創(chuàng)新能力。這一突破將為人工智能等領域的發(fā)展提供更強大的存儲支持，同時也將推動存儲行業(yè)不斷向前邁進。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關注存儲行業(yè)的動態(tài)，為客戶提供優(yōu)質的電子元器件產品和服務。
