一、搶攻 AI 內(nèi)存賽道，劍指 HBM 市場
6 月 3 日，據(jù)臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》聯(lián)合報道，臺灣內(nèi)存企業(yè)南亞科技正火力全開布局 AI DRAM 領(lǐng)域 。在三星、SK 海力士、美光三大原廠激戰(zhàn) HBM 市場的當(dāng)下，南亞科技另辟蹊徑，瞄準(zhǔn)定制化內(nèi)存賽道，欲在 AI 存儲領(lǐng)域撕開一道突破口。
二、四大技術(shù)支點，構(gòu)建 AI 內(nèi)存壁壘
南亞科技總經(jīng)理李培瑛揭示了 AI 應(yīng)用內(nèi)存的核心要素：高密度先進 DRAM、3D TSV 硅通孔工藝、HBM 設(shè)計能力、邏輯 Base Die?。目前，公司已完成高密度 DRAM 技術(shù)部署，正攜手補丁科技、福懋科技推進 TSV 封裝工藝，而 HBM 設(shè)計與邏輯 Base Die 將通過戰(zhàn)略投資與合作模式落地。
三、定制項目沖刺，2026 年驗證量產(chǎn)
關(guān)鍵進展在于，南亞科技的定制化 DRAM 項目已進入倒計時 ——最快 2026 年完成技術(shù)驗證，2026 年底至 2027 年實現(xiàn)業(yè)績貢獻(xiàn) 。這一時間表不僅契合 AI 算力爆發(fā)的窗口期，更有望填補中小廠商在定制化內(nèi)存領(lǐng)域的空白。
四、短期去庫存，四季度沖刺扭虧
面對當(dāng)下市場，南亞科技正借力三大原廠減產(chǎn) DDR3/DDR4 的機會承接轉(zhuǎn)單需求 。得益于市場提前備貨趨勢，公司預(yù)計三季度完成庫存清理，四季度向扭虧為盈發(fā)起沖刺，短期經(jīng)營與長期技術(shù)布局形成雙重驅(qū)動。
AI 內(nèi)存賽道的競爭已全面升級，南亞科技的差異化策略能否突圍？億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)追蹤其技術(shù)驗證進展與市場表現(xiàn)，為行業(yè)提供動態(tài)參考。
