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MCU可10年不換電池?日本最大的半導(dǎo)體廠商瑞薩是如何做到的?

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在6月12日在日本京都召開的2019年度“VLSI和電路技術(shù)專題研討會(huì)上,瑞薩展示了業(yè)界首款基于65nm SOTB技術(shù)的嵌入式2T-MONOS(雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅)閃存的相關(guān)測(cè)試結(jié)果?;赟OTB的新技術(shù)已在瑞薩R7F0E嵌入式控制器中所采用,該控制器專門用于能量采集應(yīng)用。

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2003年由日立和三菱電機(jī)合并成立了瑞薩電子。

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2010年4月1日,NEC電子和瑞薩電子合并,成為了全球第一的MCU供應(yīng)商,也是SoC系統(tǒng)晶片與各式類比及電源裝置等先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)品牌之一。在成立之時(shí)一躍成為全球第三大半導(dǎo)體公司,僅次于英特爾和三星。

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然而瑞薩電子合并后的幾年路走的并不順,從成立時(shí)的全球半導(dǎo)體老三的位置一路掙扎,在2014年跌出了全球前十。

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2016年,瑞薩開始下注汽車行業(yè),并以32億美元收購Intersil,引入了模擬與混合信號(hào)芯片產(chǎn)品線,盈利才逐漸上來。2017年,瑞薩占據(jù)了全球20%的MCU市占率。

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去年9月11日,瑞薩宣布以約67億美元收購美國(guó)模擬芯片大廠IDT,這個(gè)收購被認(rèn)為是為了應(yīng)對(duì)汽車領(lǐng)域的老對(duì)手NXP的威脅。在智能手機(jī)市場(chǎng)增長(zhǎng)下滑的今天,預(yù)計(jì)汽車市場(chǎng)將是未來半導(dǎo)體廠商最大的細(xì)分市場(chǎng)。然而在2018年,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、英飛凌(Infineon)和NXP的汽車業(yè)務(wù)收入均出現(xiàn)增長(zhǎng),而瑞薩(Renesas)的汽車業(yè)務(wù)收入?yún)s較2017年有所下降。

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與最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,瑞薩是唯一一家在2018年汽車業(yè)務(wù)營(yíng)收出現(xiàn)下滑的供應(yīng)商,這不僅讓人感覺到一絲意外

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瑞薩電子中國(guó)董事長(zhǎng)真岡朋光認(rèn)為,瑞薩在2018年已經(jīng)預(yù)計(jì)到了市場(chǎng)需求疲軟的現(xiàn)狀,同時(shí)也根據(jù)需求下滑進(jìn)行了相對(duì)應(yīng)的措施,如調(diào)整工廠產(chǎn)能。此外這不僅僅是瑞薩電子一家企業(yè)的事情,還需要跟代理商和銷售渠道不斷的加強(qiáng)溝通。“我們的客戶對(duì)市場(chǎng)的未來也比較謹(jǐn)慎。因?yàn)椴挥蓮S商控制的情況太多了,比如現(xiàn)在的中美貿(mào)易摩擦的問題,沒有人能預(yù)計(jì)到,但就是發(fā)生了。”真岡朋光認(rèn)為,中美貿(mào)易摩擦這種不可控的事情發(fā)生,對(duì)瑞薩的客戶影響是很明顯的,因此瑞薩需要不斷調(diào)整自己去適應(yīng)市場(chǎng)的變化。

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目前對(duì)于瑞薩來說,最重要的事情是盡快適應(yīng)與IDT的并購,以及實(shí)現(xiàn)“1+1大于2”的效果。

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據(jù)IDT的財(cái)報(bào),近些年其毛利率在60%以上,2014—2018年復(fù)合增長(zhǎng)率更是高達(dá)14.8%,而且其技術(shù)和產(chǎn)品恰好符合瑞薩電子下注的汽車業(yè)務(wù),其數(shù)據(jù)中心與通信基礎(chǔ)設(shè)施也會(huì)為瑞薩開辟更大的市場(chǎng)。2019年瑞薩與IDT的收購案終于達(dá)成,瑞薩也一躍成為日本最大的半導(dǎo)體公司。

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目前瑞薩全球銷售額7600億日元,全球19000員工。從財(cái)報(bào)來看,瑞薩電子收入7570億日元。

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“面向汽車電子的半導(dǎo)體產(chǎn)品是瑞薩的代表業(yè)務(wù)。從應(yīng)用領(lǐng)域來看,汽車領(lǐng)域銷售額約占總銷售額的一半,很難找到一輛完全不使用瑞薩電子產(chǎn)品的汽車。”——這是瑞薩電子中國(guó)董事長(zhǎng)真岡朋光在今年舉行的CITE中國(guó)信息博覽會(huì)上的發(fā)言。

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汽車市場(chǎng)當(dāng)然是瑞薩最重要的市場(chǎng)之一。根據(jù)srategy Analytics2018提供的數(shù)據(jù),瑞薩電子在2017年的汽車MCU/SOC市場(chǎng)份額眾,包括動(dòng)力總成、xEV、車身、底盤與安全、信息娛樂&儀表相關(guān)的車用芯片均排名第一。

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此外,2017年瑞薩發(fā)布了一個(gè)ADAS及自動(dòng)駕駛平臺(tái)Renesas Autonomy,同時(shí)發(fā)布的還有R-CarV3M? SoC,該芯片配有2顆ARM CortexA53、雙CortexR7鎖步內(nèi)核和1個(gè)集成ISP,可滿足符合ASIL-C級(jí)別功能安全的硬件要求,能夠在智能攝像頭、全景環(huán)視系統(tǒng)和雷達(dá)等多項(xiàng)ADAS應(yīng)用中進(jìn)行擴(kuò)展。除了R-Car系列產(chǎn)品外,瑞薩也有針對(duì)雷達(dá)傳感器的專業(yè)處理器芯片如RH850/V1R-M系列。

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應(yīng)該說R-Car系列是瑞薩進(jìn)軍自動(dòng)駕駛的切入點(diǎn)。此前推出的第三代產(chǎn)品R-CarH3/M3已經(jīng)具有L2等級(jí)的自動(dòng)駕駛需求。只不過作為一家日系公司,瑞薩在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的布局顯得異常低調(diào)。

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作為日本最大的半導(dǎo)體廠商,瑞薩的目標(biāo)絕不僅僅是汽車市場(chǎng),物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)也是瑞薩的布局重點(diǎn)。

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5月28日,瑞薩電子2019產(chǎn)品及系統(tǒng)方案研討會(huì)——廈門站正式召開。在此次活動(dòng)上,瑞薩不僅展示了自己的多款嵌入式解決方案,還首次展示了IDT的多款物聯(lián)網(wǎng)解決方案,以及融合了瑞薩與IDT雙方技術(shù)的系統(tǒng)級(jí)解決方案。

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瑞薩切入物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,在今年重點(diǎn)推廣的主要有兩大技術(shù):DRP技術(shù)和低功耗的SOTB技術(shù)。

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提到瑞薩在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的布局,不得不提到瑞薩在今年重點(diǎn)推廣的DRP技術(shù)和低功耗的SOTB技術(shù)。

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DRP技術(shù),簡(jiǎn)單來說就是本地的嵌入式AI解決方案,可以取代以往的云端AI計(jì)算能力。

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在商湯、曠視等各大AI芯片廠商以及Nvidia、Intel、高通等傳統(tǒng)半導(dǎo)體廠商紛紛布局嵌入式AI的今天,瑞薩的DRP有什么亮點(diǎn)呢?

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據(jù)了解,瑞薩獨(dú)有的DRP技術(shù),是一種動(dòng)態(tài)可編程的處理器,可以按照不同的時(shí)間把動(dòng)態(tài)邏輯編程,這特別適合應(yīng)用在圖像處理等應(yīng)用上。DRP中有AI -MAC,有大量的計(jì)算單元,可以來實(shí)現(xiàn)卷積運(yùn)算。

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此外,相比目前市場(chǎng)上的通用的嵌入式AI芯片,如MCU、DSP、FPGA,瑞薩DRP可以做到10~100倍的強(qiáng)大處理能力,而功耗則降低很多。據(jù)了解,這個(gè)DRP的主頻只有60Mhz,而處理能力則比A9 MCU要快13倍。

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瑞薩電子陳建明部長(zhǎng)對(duì)《芯扒客》記者展示了瑞薩嵌入式領(lǐng)域的roadmap,他表示今年Q4瑞薩將推出第三代的E-AI解決方案,將會(huì)配置更強(qiáng)大的DRP AI芯片,將會(huì)更加適合卷積神經(jīng)計(jì)算。第四代產(chǎn)品的DRP AI2也在規(guī)劃中。在智能工廠這一塊,通過e-AI的引入,可以立馬減少人工的投入。在2019 CITE上,瑞薩演示了不少基于e-AI的方案,包括3D手勢(shì)識(shí)別方案、電機(jī)故障檢測(cè)方案、二維碼掃描和實(shí)時(shí)圖像處理方案等。

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SOTB技術(shù),則是一種極低功耗技術(shù),可以讓MCU的電流消耗降低到傳統(tǒng)電流的十分之一。簡(jiǎn)單來說,這種技術(shù)讓不需要電池的模式成為可能。

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由于采用了無摻雜的晶體管,對(duì)比傳統(tǒng)的平面式晶體管的淤積特性變化,可以在超低電壓下進(jìn)行穩(wěn)定的操作,比如0.5伏左右。如果傳統(tǒng)的MCU采用3V的紐扣電池供電,可能一個(gè)月后就沒電了。

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如果采用STB技術(shù)到MCU,由于本身需要的電流非常低,可能3μA就夠了,這個(gè)功耗幾乎可以忽略不計(jì),可以實(shí)現(xiàn)無間斷的工作。再配合低功耗的DRP嵌入式AI方案,整個(gè)系統(tǒng)就可以做到低時(shí)延、安全、低功耗。瑞薩電子也強(qiáng)調(diào),其超低功耗的產(chǎn)品可保證設(shè)備10年左右不換電池,這是其技術(shù)優(yōu)勢(shì)所在。

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陳建明部表示,SOTB技術(shù)的推廣將分三步走,第一步主要是替換需要更換電池的各類MCU應(yīng)用;第二步預(yù)計(jì)到2021年在藍(lán)牙BLE中增加帶SOTB功能的MCU。比如智能家電、智能樓宇等。第三步則將SOTB和E-AI技術(shù)共同加入進(jìn)來,做成完整的解決方案,在農(nóng)業(yè)、智能交通等領(lǐng)域都可以用到。

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應(yīng)用在智慧

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在6月12日在日本京都召開的2019年度“VLSI和電路技術(shù)專題研討會(huì)上,瑞薩展示了業(yè)界首款基于65nm SOTB技術(shù)的嵌入式2T-MONOS(雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅)閃存的相關(guān)測(cè)試結(jié)果?;赟OTB的新技術(shù)已在瑞薩R7F0E嵌入式控制器中所采用,該控制器專門用于能量采集應(yīng)用。與非SOTB2T-MONOS閃存(約需50μA/MHz讀取電流)相比,新技術(shù)實(shí)現(xiàn)的讀取電流僅6μA/MHz左右,等效于0.22pJ/bit的讀取能耗,達(dá)到MCU嵌入式閃存最低能耗級(jí)別。這項(xiàng)新技術(shù)還有助于在R7F0E上實(shí)現(xiàn)20μA/MHz的低有效讀取電流,達(dá)到業(yè)界最佳。

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值得一提的是,能量收集技術(shù)的迅猛發(fā)展,使智能穿戴設(shè)備的自我供能有望成為現(xiàn)實(shí)。比如手環(huán)、耳機(jī)等可穿戴設(shè)備目前受限最大的就是功耗問題,而瑞薩下一步將在藍(lán)牙BLE中增加帶SOTB功能的MCU,很明顯穿戴產(chǎn)品將大大受益。

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我們有理由展望不久的未來,采用瑞薩的SOTB技術(shù)的能量采集系統(tǒng)將在智能手表等穿戴類設(shè)備中大顯神威。

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