6月26日消息,日本電容器(MLCC)大廠村田制作所(Murata)在6月26日宣布,計劃到2028年對本土的金澤村田制作所、仙臺村田制作所和芬蘭子公司合計投資約100億日元,以將硅電容器產(chǎn)能提高兩倍。這一投資計劃旨在提高硅電容器的生產(chǎn)能力,以滿足未來全球市場對高性能電容器需求的增長。?
目前,硅電容器的應(yīng)用僅限于醫(yī)療設(shè)備,但未來有望擴展到智能手機和服務(wù)器等領(lǐng)域。村田制作所希望通過這次投資和增產(chǎn)能夠及時捕獲更多的市場需求,并提高公司在高端電容器市場的競爭力。
硅電容器采用半導(dǎo)體制造工藝制作,其介電層為穩(wěn)定性更好的硅材料。與當前的主流電容器相比,硅電容器具有更好的電容密度、可靠性、高頻特性等優(yōu)勢,老化時間可長達10年,其額定溫度甚至可高達250℃。在惡劣環(huán)境下,硅電容器有著更好的表現(xiàn)。
然而,目前硅電容器的價格是普通MLCC的幾十倍,因此其應(yīng)用范圍集中于高附加值、對成本不敏感的尖端醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。但考慮到硅電容器在輕薄方面的優(yōu)勢,對于內(nèi)部空間越來越捉襟見肘的智能手機而言,硅電容器也是相當不錯的選擇。村田制作所的硅電容器厚度可低至0.05毫米。
此外,村田制作所(Murata)還計劃在全球建立相同的生產(chǎn)系統(tǒng),以實現(xiàn)硅電容器供應(yīng)的全球化。今年3月,村田制作所曾宣布將于2024年之前向法國子公司投資約5000萬歐元,以增加硅電容器的產(chǎn)能。這次投資計劃將在兩家日本工廠和芬蘭子公司建立相同的生產(chǎn)系統(tǒng),以實現(xiàn)全球化的硅電容器供應(yīng)。
總的來說,村田制作所(Murata)通過大規(guī)模投資和增產(chǎn)計劃,將提高硅電容器產(chǎn)能并擴大其在高端電容器市場的影響力。隨著未來市場對高性能電容器需求的不斷增長,村田制作所(Murata)的投資計劃將有助于其抓住更多商機,并推動公司的發(fā)展。