在 DRAM 市場的激烈競爭中，三星電子曾因 AI 半導(dǎo)體高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的挑戰(zhàn)，在第一季度被 SK 海力士超越，痛失市場領(lǐng)導(dǎo)地位 。如今，三星正全力反擊，憑借下一代 DRAM 良率的大幅提升，強勢回歸戰(zhàn)場 。

良率飛躍，技術(shù)突破顯著

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星電子上個月對 10nm 級第六代 DRAM 晶圓進行性能測試，良率達到了驚人的 50 - 70% 。相比去年不足 30% 的良率，實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍 。這一進步得益于三星研發(fā)團隊的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，通過重新設(shè)計，有效提升了芯片效率與生產(chǎn)力 。

大膽決策，量產(chǎn)計劃重啟

三星原計劃于去年年底量產(chǎn) 10nm 級第六代 DRAM，但為追求更高性能，毅然選擇重新設(shè)計芯片，這一決策導(dǎo)致量產(chǎn)延遲超一年 。如今良率提升，三星迅速行動，積極投資建設(shè)量產(chǎn)線，一旦今年最終測試完成，將即刻投入生產(chǎn) 。

工廠分工，產(chǎn)能布局明確

三星平澤工廠 4 號 DRAM 生產(chǎn)線將生產(chǎn)供應(yīng)移動設(shè)備（LPDDR）和服務(wù)器應(yīng)用的產(chǎn)品 。而用于 HBM4 的 10nm 級第六代 DRAM 生產(chǎn)設(shè)施，則位于平澤工廠 3 號 。業(yè)內(nèi)人士分析，移動 / 服務(wù)器 DRAM 與 HBM 的存儲單元核心結(jié)構(gòu)相似，此次 10nm 級第六代 DRAM 的進展，將對 HBM4 的量產(chǎn)產(chǎn)生積極影響 ，三星有望加大對平澤 3 號工廠 HBM4 工藝的投資 。

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