技術(shù)登頂：關(guān)鍵指標(biāo)碾壓國(guó)際對(duì)手
6月5日，上海交大無(wú)錫光子芯片研究院（CHIPX）下線國(guó)內(nèi)首片6英寸薄膜鈮酸鋰晶圓，同步量產(chǎn)的高性能調(diào)制器芯片創(chuàng)三項(xiàng)全球紀(jì)錄：調(diào)制帶寬110GHz（突破光互連帶寬瓶頸）、波導(dǎo)損耗＜0.2dB/cm（傳輸效率提升300%）、電光轉(zhuǎn)換效率1.9V·cm（功耗直降40%）26。此前該領(lǐng)域被Lumentum、II-VI等美企壟斷，此次突破標(biāo)志中國(guó)光電子器件實(shí)現(xiàn)從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的跨越。

量產(chǎn)破局：中試線年產(chǎn)能12000片
依托110臺(tái)國(guó)際頂級(jí)CMOS設(shè)備構(gòu)建的全閉環(huán)產(chǎn)線，CHIPX打通納米級(jí)光刻-刻蝕-封裝工藝鏈，攻克薄膜鈮酸鋰脆性大、均勻性差等難題。單晶圓可切割350顆芯片，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能達(dá)1.2萬(wàn)片，滿足50萬(wàn)臺(tái)AI服務(wù)器光模塊需求。相較傳統(tǒng)硅光芯片，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器速度提升10倍，將成為超算中心、6G基站核心引擎。

工藝革命：深紫外光刻攻克納米精度
團(tuán)隊(duì)以深紫外（DUV）光刻+步進(jìn)式曝光組合工藝，實(shí)現(xiàn)三大突破：
??110nm波導(dǎo)刻蝕精度（較行業(yè)平均提升50%）
??6英寸晶圓跨尺度電極集成（解決材料碎裂風(fēng)險(xiǎn)）
??全流程良率超95%（達(dá)臺(tái)積電CoWoS封裝水平）
該工藝使我國(guó)首次掌握晶圓級(jí)光子集成核心技術(shù)，擺脫實(shí)驗(yàn)室成果難量產(chǎn)困境。

生態(tài)開(kāi)放：PDK工具包三季度發(fā)布
為加速產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，CHIPX將于Q3開(kāi)放PDK工藝設(shè)計(jì)包，集成電光調(diào)制器、波導(dǎo)陣列等核心模型，提供多物理場(chǎng)仿真模塊。企業(yè)可借此完成“設(shè)計(jì)-流片-量產(chǎn)”全流程閉環(huán)，研發(fā)周期縮短70%。目前華為、中興等企業(yè)已接入中試線，聯(lián)合開(kāi)發(fā)1.6T光通信模塊。

千億場(chǎng)景：量子計(jì)算與AI算力雙輪驅(qū)動(dòng)
薄膜鈮酸鋰芯片憑超低延遲+高并行性優(yōu)勢(shì)，正重構(gòu)兩大領(lǐng)域：
???量子計(jì)算：?jiǎn)喂庾诱{(diào)控精度突破99.9%，為容錯(cuò)量子計(jì)算機(jī)奠基
???AI算力：光計(jì)算芯片替代GPU部分單元，大模型訓(xùn)練能效比提升10倍
無(wú)錫市已啟動(dòng)“光子芯谷”建設(shè)，目標(biāo)2028年形成千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

此次國(guó)內(nèi)光子芯片中試線的重大突破，對(duì)我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)意義深遠(yuǎn)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注行業(yè)動(dòng)態(tài)，為您帶來(lái)最新資訊 。