里程碑時(shí)刻：首片 6 英寸晶圓成功下線(xiàn)

6 月 5 日，上海交通大學(xué)無(wú)錫光子芯片研究院（CHIPX）傳來(lái)捷報(bào)：國(guó)內(nèi)首個(gè)光子芯片中試線(xiàn)成功下線(xiàn)首片 6 英寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓 。同時(shí)，實(shí)現(xiàn)超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片規(guī)模化量產(chǎn)，核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平 。這一成果標(biāo)志著我國(guó)在高端光電子核心器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從 “技術(shù)跟跑” 到 “產(chǎn)業(yè)領(lǐng)跑” 的跨越，為量子科技自主可控注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

中試線(xiàn)建設(shè)：高效推進(jìn)全流程貫通

上海交大無(wú)錫光子芯片研究院自 2022 年 12 月啟動(dòng)國(guó)內(nèi)首條光子芯片中試線(xiàn)建設(shè)，聚焦 “研發(fā) - 驗(yàn)證 - 量產(chǎn)” 一體化布局，歷時(shí)不到兩年實(shí)現(xiàn)中試平臺(tái)全流程貫通 。2024 年 9 月，中試線(xiàn)正式啟用，具備從芯片設(shè)計(jì)、加工、封裝、測(cè)試到系統(tǒng)集成的全鏈條能力 。此次首片晶圓下線(xiàn)，標(biāo)志著該平臺(tái)正式具備高性能光子芯片規(guī)模化制造能力，打通國(guó)產(chǎn)高端光子器件產(chǎn)業(yè)化通道。

技術(shù)攻堅(jiān)：突破 “卡脖子” 難題

薄膜鈮酸鋰（LiNbO?）因超快電光效應(yīng)、高帶寬、低功耗等優(yōu)勢(shì)，在 5G 通信、光互連、量子計(jì)算等領(lǐng)域備受關(guān)注 。但材料脆性大，大尺寸晶圓制備及量產(chǎn)工藝長(zhǎng)期面臨三大挑戰(zhàn)：納米級(jí)加工精度控制、薄膜沉積均勻性保障、刻蝕速率一致性調(diào)控 。CHIPX 依托中試線(xiàn)配置的 110 余臺(tái)國(guó)際先進(jìn) CMOS 工藝設(shè)備，自主開(kāi)發(fā)芯片設(shè)計(jì)與工藝系統(tǒng)協(xié)同適配技術(shù)，首次在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)光子芯片工藝閉環(huán)整合，攻克關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。

性能領(lǐng)先：核心指標(biāo)達(dá)國(guó)際一流

在中試平臺(tái)支撐下，CHIPX 工藝團(tuán)隊(duì)構(gòu)建適用于 6 英寸薄膜鈮酸鋰晶圓的高精度波導(dǎo)制造工藝：利用深紫外（DUV）光刻與高精度刻蝕，實(shí)現(xiàn) 110nm 級(jí)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；通過(guò)步進(jìn)式（i-line）光刻完成跨尺度集成，工藝良率與穩(wěn)定性達(dá)國(guó)際頂級(jí)水準(zhǔn) 。同時(shí)，采用 “材料 — 器件” 協(xié)同設(shè)計(jì)，調(diào)制帶寬突破 110GHz，插入損耗低于 3.5dB，調(diào)制效率達(dá) 1.9 V?cm，多項(xiàng)指標(biāo)達(dá)到或超過(guò)國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品領(lǐng)先水平，躋身國(guó)際第一梯隊(duì)。

生態(tài)構(gòu)建：推動(dòng)規(guī)?；瘧?yīng)用落地

目前，該中試平臺(tái)具備年產(chǎn)約 12,000 片晶圓的產(chǎn)能，可為產(chǎn)業(yè)伙伴提供 “低成本、快迭代、可量產(chǎn)” 的端到端解決方案 。未來(lái)，研究院將與國(guó)內(nèi)外上下游企業(yè)、高校、科研機(jī)構(gòu)協(xié)同，構(gòu)建集設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、生產(chǎn)、封測(cè)于一體的光子芯片生態(tài)體系，加速 5G 通信、AI 算力網(wǎng)絡(luò)、量子信息等領(lǐng)域技術(shù)轉(zhuǎn)化與應(yīng)用落地。

我國(guó)光子芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破，億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)進(jìn)展，為行業(yè)發(fā)展提供最新動(dòng)態(tài)。