3 月 19 日，臺(tái)媒 digitimes 報(bào)道了一則震撼半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的消息 ：SK 海力士預(yù)計(jì)將供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片的第五代 12 層 HBM3E 。一旦成真，SK 海力士與三星電子、美光（MICRON）的差距很可能進(jìn)一步被拉開，在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。
技術(shù)領(lǐng)先，率先量產(chǎn)創(chuàng)佳績(jī)
去年 9 月，SK 海力士在全球范圍內(nèi)率先開啟 12 層 HBM3E 芯片的量產(chǎn)進(jìn)程 。這款芯片成功實(shí)現(xiàn)了 36GB 的大容量，運(yùn)行速度更是高達(dá) 9.6Gbps。在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時(shí)，每秒能夠讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的性能，為其在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
英偉達(dá)需求急迫，SK 海力士加速布局
去年 11 月，SK 集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露 ，英偉達(dá) CEO 黃仁勛急切要求 SK 海力士提前六個(gè)月供應(yīng)下一代高帶寬內(nèi)存芯片 HBM4 。面對(duì)這一需求，SK 海力士迅速規(guī)劃，計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，16 層堆疊 HBM 則預(yù)計(jì)在 2026 年稍晚推出，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存芯片的迫切需求。
三星獲批供應(yīng)，仍難望其項(xiàng)背
彭博社知情人士在今年 2 月透露 ，三星電子公司已獲批向英偉達(dá)供應(yīng)其 8 層 HBM3E 高帶寬存儲(chǔ)芯片 。雖然這一批準(zhǔn)是三星在該領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展，但在 HBM 技術(shù)層面，三星與 SK 海力士、美光科技等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，仍然存在一定差距，想要在市場(chǎng)中取得更大份額，仍需付出更多努力。
美光蓄勢(shì)待發(fā)，12 層堆疊產(chǎn)品將放量
美光方面，執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官 Mark Murphy 今年 2 月透露 ，美光的 12 層堆疊 HBM 內(nèi)存產(chǎn)品（12Hi HBM3E）即將實(shí)現(xiàn)大規(guī)模放量 。這顯示出美光在 HBM 市場(chǎng)積極進(jìn)取的態(tài)度，試圖憑借這款產(chǎn)品在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中分得一杯羹，打破現(xiàn)有市場(chǎng)格局。
億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，HBM 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益白熱化，SK 海力士的供應(yīng)消息將重塑行業(yè)格局。半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展正面臨重大變革。億配芯城（ICgoodFind）將密切關(guān)注市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，以專業(yè)優(yōu)勢(shì)為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品與服務(wù)，助力行業(yè)在變化中穩(wěn)步前行。
